Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)
0т.
Описание Твердотельный накопитель 1000Gb SSD Samsung 990 EVO M.2 PCIe 4.0 R5000Mb/s W4200MB/s MZ-V9E1T0BW
Основные характеристики Твердотельный накопитель 1000Gb SSD Samsung 990 EVO M.2 PCIe 4.0 R5000Mb/s W4200MB/s MZ-V9E1T0BW
Общие данные
UID товара
MZ-V9E1T0BW
Тип памяти
TLC
Модель
990 EVO
Внимание
Перед покупкой уточняйте совместимость накопителя со своим оборудованием!
Форм-фактор
M.2 2280
Показатели производительности
Интерфейс
PCI-Express 4.0 x4
Скорость чтения, МБ/с, до
5000
Скорость записи, МБ/с, до
4200
Максимальные перегрузки при работе
1500G, длительностью 0.5 мс
Основные параметры
Емкость диска, ГБ
1000
Потребление энергии в режиме Active
6.0 Вт
Потребление энергии в режиме простоя
0.05 Вт
Дополнительные технологии
V-NAND, S.M.A.R.T., TRIM
Вентилятор
Наработка на отказ
1.5 млн.часов
Особенности
Дополнительно
Поддержка режима сна
Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора
Поддержка AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
Технические характеристики
Суммарный объем данных TBW, ТБ
600
Компоновка чипов памяти
Односторонняя
Размеры и вес
Размеры (Ш х В х Г)
8 х 2.2 х 0.2 см
Размеры упаковки (Ш х В х Г)
10 х 14.5 х 2 см
Вес изделия
0.009 кг
Вес с упаковкой
0.08 кг
Упаковка
BOX
Заводские данные
Срок гарантии (мес.)
24
Ограничение гарантийного срока
При превышении параметра «Суммарный объем данных TBW» устройство снимается с гарантии. Условия указаны на сайте производителя.
Ссылка на сайт производителя
www.samsung.com
Отзывы о Твердотельный накопитель 1000Gb SSD Samsung 990 EVO M.2 PCIe 4.0 R5000Mb/s W4200MB/s MZ-V9E1T0BW
5
4
3
2
1
Нет отзывов об этом товаре.